Our Commitment
私たちのこだわり
eSPMで拓く、ナノスケール電気特性評価の新たな次元
A New Dimension in Nanoscale Metrology via Electrical Scanning Probe Microscopy (eSPM)
圧倒的な分解能・解析精度と、問題解決型解析を両立し、設計・プロセス開発・量産・故障解析まで、開発現場に技術的示唆を届けます。
Core Concept
電気的走査型プローブ顕微鏡（eSPM）で到達する、ナノスケール計測の新たな次元
Metrixは、独自のeSPMプラットフォーム構築による原子・ナノスケール計測を用いて、世界トップレベルの高感度および高空間分解能を追求しています。
従来手法では捉えられない材料・デバイスの局所電気特性を直接可視化し、現象理解と課題抽出をより深いレベルで支援します。
さらに、それぞれの計測手法において、市販および独自標準試料による原理検証とキャリブレーションを行い、定量評価を可能にしています。1本のeSPMプローブを用いたナノイメージングとナノプロービングの組み合わせにより、デバイス動作原理の理解や信頼性検証への応用にもつなげています。
設計・プロセス開発・量産・故障解析まで、各開発フェーズに最適なSPM解析ソリューションを提供します。
Technical Pillars
私たちを支える3つの技術的こだわり
Pillar 01
高空間分解能
原子・ナノスケールの局所構造と電気特性を高い空間分解能で捉え、従来手法では見えにくい微細現象の理解を可能にします。
- SSRMにおいて、シャローpnジャンクションを1nmの世界トップレベル空間分解能で計測可能。
- SMMにおいて、グラフェンのMoireパターン観察が可能。
Pillar 02
高感度
微小電流や低濃度領域など、微細な電気的変化を高感度で捉え、デバイス評価や材料解析における重要な手がかりを取得します。
- SSRMでは、シリコンデバイスにおいて 10^13 cm^-3 の低濃度領域を測定可能。
- C-AFMにおいて、ゲート絶縁膜のリーク電流を fA レベルで非破壊的に計測可能。
Pillar 03
定量化
原理検証と標準試料によるキャリブレーションを重ねることで、単なる可視化にとどまらない、再現性と比較可能性のある評価を目指しています。
- SSRMにおいて、イオン注入およびエピタキシャル標準試料を用いて定量キャリブレーションを実施。
- SIMSおよびSRPとの比較により、SSRMの共通性・相違点・特徴を明確化。
- C-AFMにおいて、SiO2ゲート絶縁膜を用いたFNトンネル電流の理論検証により、電流の再現性と定量化を実現。
Solution Proposal
単なるデータ取得ではなく、解析ソリューションを提案します
Metrixは、単にデータを取得して提出するだけではなく、お客様の課題に応じた最適な解析ソリューションの提案から対応します。
解析結果をもとに課題構造を整理し、現象理解、設計見直し、プロセス改善、追加評価の方向性まで含めて、次のアクションにつながる技術的示唆を提供します。
Coverage
開発フェーズ・対象領域・パートナーシップまで幅広く対応
開発フェーズ全体に対応
- 設計検証（Design Validation）
- 動作原理検証（Feasibility Study）
- プロセス開発（Process Development）
- 量産評価（Production Support）
- 故障解析（Failure Analysis）
- 先端研究開発（R&D）
研究段階から量産課題まで一貫して支援します。
幅広い製品群と材料ラインアップ
先端メモリーデバイス、ロジックデバイス、センサー、光電デバイス、パワーデバイスに加え、電池材料、グラフェンを代表とする2D材料、ナノカーボン材料、SiC、GaN、ダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ材料にも対応します。
幅広い技術パートナーシップ
- デバイスメーカー
- 材料メーカー
- プロセス・装置メーカー
それぞれの開発視点に合わせた解析提案を行います。
eSPMによる原子・ナノスケール計測により、従来手法では捉えられない局所電気特性を直接可視化。
微小領域の電流・キャリア・電位挙動を解析し、TEMやSEMだけでは解明できない不具合の真因に到達します。
Contact
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担当者よりご案内いたします。