C‑AFM
ワイドバンドパワーデバイス材料 SiC/GaN
組成変化に対応したリーク電流パスとトポグラフィーの相関
窒化ガリウム（GaN）基板上にエピタキシャル成長させた窒化アルミニウムガリウム（AlGaN）の、Al組成が結晶構造および導電性ナノ二次元分布に与える影響
アルミニウム組成比が結晶形状および導電性の二次元分布に直接的な影響を与えることが明らかになった」
導電性AFM（C-AFM）は、ナノ領域における格子成長プロセス条件の選定に役立つ
導電性AFM（C-AFM）は、ナノ領域における格子成長プロセス条件の選定に役立つ